Caracteristicas técnicas del producto
ESPECIFICACIONES
1 TB
NúMEROS DE MODELO ESTáNDAR (TCG
INTERFAZ
PCIE GEN3 ×4, NVME 1.3
MEMORIA NAND FLASH
3D TLC
FORMATO
M.2 2280-S2
RENDIMIENTO
LECTURA SECUENCIAL (MáXIMA, MB/S),128 KB
3400
ESCRITURA SECUENCIAL (MáXIMA, MB/S), 128 KB
3.000
LECTURA ALEATORIA (MáX, IOPS), 4 KB QD32 T8
600.000
ESCRITURA ALEATORIA (MáXIMA, IOPS), 4 KB QD32 T8
600.000
DURABILIDAD/FIABILIDAD
TOTAL DE BYTES ESCRITOS (TB)
640
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF,HORAS)
1.800.000
ADMINISTRACIóN DE ENERGíA
CONSUMO DE ENERGíA EN FUNCIONAMIENTO, PROMEDIO (W)
5,3
CONSUMO DE ENERGíA EN REPOSO PS3,PROMEDIO (MW)
20
BAJO CONSUMO DE CORRIENTE MODO L1.2 (MW)
2
AMBIENTAL
TEMPERATURA INTERNA EN FUNCIONAMIENTO (°C)
0 A 70
TEMPERATURA, NO EN FUNCIONAMIENTO (°C)
40 A 85
TOLERANCIA A GOLPES, NO EN FUNCIONAMIENTO: 0,5 MS (G)
1500
CARACTERíSTICAS ESPECIALES
TRIM
Sí
S.M.A.R.T.
Sí
SIN HALóGENO
Sí
CUMPLIMIENTO CON ROHS
Sí
DATOS FíSICOS
LONGITUD (MM/PULG., MáX.)
80,15 MM/3,156 PULG.
ANCHO (MM/PULG., MáX.)
22,15 MM/0,872 PULG.
ALTURA (MM/PULG., MáX.)
2,23 MM/0,087 PULG.
PESO (G/LB)
8,7 G/0,019 LB