Caracteristicas técnicas del producto
ESPECIFICACIONES
500 GB
INTERFAZ
PCIE GEN3 ×4, NVME1.3
MEMORIA NAND FLASH
3D TLC
FORMATO
M.2 2280-S2
LECTURA SECUENCIAL (MÁXIMA, MB/S),
128 KB
3400
ESCRITURA SECUENCIAL (MÁXIMA,
1 MB/S), 128 KB
2.400
LECTURA ALEATORIA (MÁX, IOPS), 4 KB QD32 T8
410.000
ESCRITURA ALEATORIA (MÁXIMA, IOPS), 4 KB QD32 T8
540.000
TOTAL DE BYTES ESCRITOS (TB)
320
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (MTBF,HORAS)
1.800.000
CONSUMO DE ENERGÍA EN FUNCIONAMIENTO, PROMEDIO (W)
4,6
CONSUMO DE ENERGÍA EN REPOSO PS3,PROMEDIO (MW)
16
BAJO CONSUMO DE CORRIENTE MODO L1.2 (MW)
2
TEMPERATURA INTERNA EN FUNCIONAMIENTO (°C)
0 A 70
TEMPERATURA, NO EN FUNCIONAMIENTO (°C)
40 A 85
TOLERANCIA A GOLPES, NO EN FUNCIONAMIENTO: 0,5 MS (G)
1500
TRIM
SÍ
S.M.A.R.T.
SÍ
SIN HALÓGENO
SÍ
CUMPLIMIENTO CON ROHS
SÍ
LONGITUD (MM/PULG., MÁX.)
80,15 MM/3,156 PULG.
ANCHO (MM/PULG., MÁX.)
22,15 MM/0,872 PULG.
ALTURA (MM/PULG., MÁX.)
2,23 MM/0,087 PULG.
PESO (G/LB)
8,7 G/0,019 LB